casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFZ24N,127
Número de pieza del fabricante | IRFZ24N,127 |
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Número de parte futuro | FT-IRFZ24N,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
IRFZ24N,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ24N,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFZ24N,127-FT |
BUK7513-75B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7514-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7514-60E,127
NXP USA Inc.
BUK7515-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK75150-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7516-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.
BUK751R8-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7520-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK7520-55A,127
Nexperia USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel