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ON Semiconductor IRFW630BTM-FP001

Name: IRFW630BTM-FP001
Brand: ON Semiconductor
SKU: IRFW630BTM-FP001
Price: 0.42568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (775 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFW630BTM-FP001

Cantidad disponible: 45910 Piezas

Precio de referencia: USD 0.42568

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFW630BTM-FP001.pdf

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Número de pieza del fabricante	IRFW630BTM-FP001
Número de parte futuro	FT-IRFW630BTM-FP001
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IRFW630BTM-FP001 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	720pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.13W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFW630BTM-FP001 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFW630BTM-FP001-FT

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