casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU3910PBF
Número de pieza del fabricante | IRFU3910PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFU3910PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU3910PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 640pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3910PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFU3910PBF-FT |
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ013NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Infineon Technologies
BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ033NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ034N04LSATMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel