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Infineon Technologies BSZ014NE2LS5IFATMA1

Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Price: 0.673704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (530 reviews)

Número de pieza de MFG: BSZ014NE2LS5IFATMA1

Cantidad disponible: 67360 Piezas

Precio de referencia: USD 0.673704

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSZ014NE2LS5IFATMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Número de parte futuro	FT-BSZ014NE2LS5IFATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2300pF @ 12V
Característica FET	Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSZ014NE2LS5IFATMA1-FT

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