casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU3710Z-701P
Número de pieza del fabricante | IRFU3710Z-701P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFU3710Z-701P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU3710Z-701P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 42A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2930pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 140W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3710Z-701P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFU3710Z-701P-FT |
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R750P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies