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Infineon Technologies IRFU3412PBF

Name: IRFU3412PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFU3412PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (502 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFU3412PBF

Cantidad disponible: 37770 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFU3412PBF.pdf

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IRFU3412PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFU3412PBF
Número de parte futuro	FT-IRFU3412PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFU3412PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	48A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	89nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3430pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	IPAK (TO-251)
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFU3412PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFU3412PBF-FT

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