casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU3303PBF
Número de pieza del fabricante | IRFU3303PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFU3303PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU3303PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 33A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 750pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 57W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3303PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFU3303PBF-FT |
BSZ096N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ146N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ300N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BTS282ZE3230AKSA2
Infineon Technologies
BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC016N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC010N04LSTATMA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel