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Infineon Technologies IRFTS8342TRPBF

Name: IRFTS8342TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFTS8342TRPBF
Price: 0.1516 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (388 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFTS8342TRPBF

Cantidad disponible: 60210 Piezas

Precio de referencia: USD 0.1516

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFTS8342TRPBF.pdf

IRFTS8342TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFTS8342TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRFTS8342TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFTS8342TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	560pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP
Paquete / Caja	SOT-23-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFTS8342TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFTS8342TRPBF-FT

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