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Infineon Technologies IRFS23N20DPBF

Número de pieza de MFG
IRFS23N20DPBF
Cantidad disponible
89740 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFS23N20DPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1960pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS23N20DPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFS23N20DPBF-FT

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