casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3709ZSTRRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF3709ZSTRRPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF3709ZSTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3709ZSTRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 87A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2130pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3709ZSTRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3709ZSTRRPBF-FT |
IRF2804SPBF
Infineon Technologies
IRF2804STRL
Infineon Technologies
IRF2804STRR
Infineon Technologies
IRF2804STRRPBF
Infineon Technologies
IRF2805SPBF
Infineon Technologies
IRF2805STRRPBF
Infineon Technologies
IRF2807S
Infineon Technologies
IRF2807SPBF
Infineon Technologies
IRF2807STRL
Infineon Technologies
IRF2807STRLPBF
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.