casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR13N15DTRR
Número de pieza del fabricante | IRFR13N15DTRR |
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Número de parte futuro | FT-IRFR13N15DTRR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR13N15DTRR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 620pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 86W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR13N15DTRR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFR13N15DTRR-FT |
GP2M005A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060CG
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HUF75307D3ST
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XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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