casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP2M005A060CG
Número de pieza del fabricante | GP2M005A060CG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GP2M005A060CG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M005A060CG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 658pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 98.4W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M005A060CG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GP2M005A060CG-FT |
FQD2N90TF
ON Semiconductor
FQD2P40TF
ON Semiconductor
FQD2P40TF_F080
ON Semiconductor
FQD30N06LTF
ON Semiconductor
FQD30N06LTM
ON Semiconductor
FQD30N06TF
ON Semiconductor
FQD30N06TF_F080
ON Semiconductor
FQD3N30TF
ON Semiconductor
FQD3N30TM
ON Semiconductor
FQD3N40TF
ON Semiconductor
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel