casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR13N15DPBF
Número de pieza del fabricante | IRFR13N15DPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFR13N15DPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR13N15DPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 620pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 86W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR13N15DPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFR13N15DPBF-FT |
GP2M002A065CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065CG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050CG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060CG
Global Power Technologies Group
HUF75307D3ST
ON Semiconductor
HUF75309D3S
ON Semiconductor
HUF75309D3ST
ON Semiconductor
HUF75321D3S
ON Semiconductor
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.