casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFPS29N60LPBF
Número de pieza del fabricante | IRFPS29N60LPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFPS29N60LPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFPS29N60LPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6160pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 480W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | SUPER-247™ (TO-274AA) |
Paquete / Caja | TO-274AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFPS29N60LPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFPS29N60LPBF-FT |
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A3P015-1QNG68
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5SGXEA7N1F45I2N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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