casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF744L
Número de pieza del fabricante | IRF744L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF744L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF744L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 450V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF744L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF744L-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
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5SGXEB6R3F43C2LN
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Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
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