casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUP90N06-5M0P-E3
Número de pieza del fabricante | SUP90N06-5M0P-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SUP90N06-5M0P-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUP90N06-5M0P-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6190pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP90N06-5M0P-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUP90N06-5M0P-E3-FT |
IRF9510
Vishay Siliconix
IRF9520
Vishay Siliconix
IRF9530
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
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EP1S20F780C7
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