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Infineon Technologies IRFHS9301TR2PBF

Name: IRFHS9301TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHS9301TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (28 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFHS9301TR2PBF

Cantidad disponible: 50770 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFHS9301TR2PBF.pdf

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IRFHS9301TR2PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFHS9301TR2PBF
Número de parte futuro	FT-IRFHS9301TR2PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHS9301TR2PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	580pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-PQFN (2x2)
Paquete / Caja	6-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHS9301TR2PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFHS9301TR2PBF-FT

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