casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFHM831TR2PBF
Número de pieza del fabricante | IRFHM831TR2PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFHM831TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFHM831TR2PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PQFN (3x3) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM831TR2PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFHM831TR2PBF-FT |
BSC13DN30NSFDATMA1
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BSC152N10NSFGATMA1
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BSC159N10LSFGATMA1
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BSC190N12NS3GATMA1
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BSC190N15NS3GATMA1
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BSC200P03LSGAUMA1
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BSC205N10LS G
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BSC22DN20NS3GATMA1
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BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel