casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFHM831TR2PBF
Número de pieza del fabricante | IRFHM831TR2PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFHM831TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFHM831TR2PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PQFN (3x3) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM831TR2PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFHM831TR2PBF-FT |
BSC13DN30NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC159N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC190N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC205N10LS G
Infineon Technologies
BSC22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation