casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH8334TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFH8334TRPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFH8334TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH8334TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Ta), 44A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1180pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.2W (Ta), 30W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH8334TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH8334TRPBF-FT |
IRF9328PBF
Infineon Technologies
IRF9332PBF
Infineon Technologies
IRF9332TRPBF
Infineon Technologies
IRF9333PBF
Infineon Technologies
IRF9335PBF
Infineon Technologies
IRF9388PBF
Infineon Technologies
IRF9392PBF
Infineon Technologies
IRF9392TRPBF
Infineon Technologies
IRF9393PBF
Infineon Technologies
IRF9410
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel