casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF9335PBF
Número de pieza del fabricante | IRF9335PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF9335PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF9335PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 386pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9335PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF9335PBF-FT |
IRF7807D1TR
Infineon Technologies
IRF7807D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807D2
Infineon Technologies
IRF7807D2PBF
Infineon Technologies
IRF7807D2TR
Infineon Technologies
IRF7807D2TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807PBF
Infineon Technologies
IRF7807TR
Infineon Technologies
IRF7807TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VD1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel