casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH7182TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFH7182TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFH7182TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRFH7182TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Ta), 157A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3120pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4W (Ta), 195W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7182TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH7182TRPBF-FT |
BSC085N025S G
Infineon Technologies
BSC0901NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0902NSIATMA1
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BSC093N15NS5ATMA1
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BSC094N03S G
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel