casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC0901NSIATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC0901NSIATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSC0901NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC0901NSIATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2600pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0901NSIATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC0901NSIATMA1-FT |
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7084TRPBF
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IRFH8201TRPBF
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IRFH8202TRPBF
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IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8334TRPBF
Infineon Technologies
IRLH7134TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8324TR2PBF
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel