casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC0901NSIATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC0901NSIATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSC0901NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC0901NSIATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2600pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0901NSIATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC0901NSIATMA1-FT |
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8201TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8202TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8316TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8334TRPBF
Infineon Technologies
IRLH7134TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8324TR2PBF
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation