casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH4210DTRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFH4210DTRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFH4210DTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH4210DTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 44A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4812pF @ 13V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH4210DTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH4210DTRPBF-FT |
BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC076N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC077N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC079N03LSCGATMA1
Infineon Technologies
BSC079N03SG
Infineon Technologies
BSC079N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC080P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC082N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC084P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel