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Infineon Technologies IRFH4210DTRPBF

Name: IRFH4210DTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH4210DTRPBF
Price: 0.81972 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (91 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFH4210DTRPBF

Cantidad disponible: 80750 Piezas

Precio de referencia: USD 0.81972

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFH4210DTRPBF.pdf

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IRFH4210DTRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFH4210DTRPBF
Número de parte futuro	FT-IRFH4210DTRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFH4210DTRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	44A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4812pF @ 13V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PQFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH4210DTRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFH4210DTRPBF-FT

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