casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC077N12NS3GATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC077N12NS3GATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSC077N12NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC077N12NS3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13.4A (Ta), 98A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5700pF @ 60V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 139W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC077N12NS3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC077N12NS3GATMA1-FT |
BSZ075N08NS5ATMA1
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LFXP3C-3TN100C
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XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel