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Infineon Technologies BSZ086P03NS3EGATMA1

Name: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3EGATMA1
Price: 0.267304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (566 reviews)

Número de pieza de MFG: BSZ086P03NS3EGATMA1

Cantidad disponible: 64680 Piezas

Precio de referencia: USD 0.267304

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	BSZ086P03NS3EGATMA1
Número de parte futuro	FT-BSZ086P03NS3EGATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSZ086P03NS3EGATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	57.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4785pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ086P03NS3EGATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSZ086P03NS3EGATMA1-FT

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