casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD220
Número de pieza del fabricante | IRFD220 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFD220 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD220 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 800mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 480mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 260pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD220 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFD220-FT |
TK8A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel