casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD120PBF
Número de pieza del fabricante | IRFD120PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFD120PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD120PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 360pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD120PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFD120PBF-FT |
TK4A53D(STA4,Q,M)
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TK4A55D(STA4,Q,M)
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TK4A55DA(STA4,Q,M)
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XC6SLX100-L1CSG484I
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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5AGXBA3D6F31C6N
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EP1S40F1508C6N
Intel