casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD014PBF
Número de pieza del fabricante | IRFD014PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFD014PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD014PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 310pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD014PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFD014PBF-FT |
TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A65DA(STA4,QM)
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5SEE9H40C2LN
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