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Vishay Siliconix IRFD010PBF

Número de pieza de MFG
IRFD010PBF
Cantidad disponible
95510 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
- MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRFD010PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 860mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 250pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja 4-DIP (0.300", 7.62mm)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFD010PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFD010PBF-FT

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