casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK8A45D(STA4,Q,M)
Número de pieza del fabricante | TK8A45D(STA4,Q,M) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TK8A45D(STA4,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSVII |
TK8A45D(STA4,Q,M) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 450V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 700pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK8A45D(STA4,Q,M) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK8A45D(STA4,Q,M)-FT |
TK3R1E04PL,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14E65W5,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK34E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK22E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage