casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF9510STRL
Número de pieza del fabricante | IRF9510STRL |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF9510STRL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF9510STRL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9510STRL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF9510STRL-FT |
SIHB12N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHFS11N50A-GE3
Vishay Siliconix
SIHFS9N60A-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65E-GE3
Vishay Siliconix
IRF2807ZSTRL
Vishay Siliconix
IRF2807ZSTRR
Vishay Siliconix
IRF3205ZSTRL
Vishay Siliconix
IRF3205ZSTRR
Vishay Siliconix
IRF3314STRL
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel