casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHB22N65E-GE3
Número de pieza del fabricante | SIHB22N65E-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIHB22N65E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHB22N65E-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2415pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 227W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB22N65E-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHB22N65E-GE3-FT |
IRF630STRRPBF
Vishay Siliconix
IRF644STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF730ASTRLPBF
Vishay Siliconix
IRF730STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF740STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF820STRLPBF
Vishay Siliconix
IRF840ASTRLPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30STRLPBF
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRLPBF
Vishay Siliconix
IRFBC40STRLPBF
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel