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Infineon Technologies IRF7353D2PBF

Número de pieza de MFG
IRF7353D2PBF
Cantidad disponible
59390 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
FETKY™ MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Número de parte futuro FT-IRF7353D2PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie FETKY™
IRF7353D2PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 650pF @ 25V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7353D2PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF7353D2PBF-FT

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