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Infineon Technologies IRF6898MTR1PBF

Name: IRF6898MTR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6898MTR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (608 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF6898MTR1PBF

Cantidad disponible: 61520 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF6898MTR1PBF.pdf

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IRF6898MTR1PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF6898MTR1PBF
Número de parte futuro	FT-IRF6898MTR1PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6898MTR1PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	35A (Ta), 213A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5435pF @ 13V
Característica FET	Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max)	2.1W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja	DirectFET™ Isometric MX
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6898MTR1PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF6898MTR1PBF-FT

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