casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3706STRLPBF
Número de pieza del fabricante | IRF3706STRLPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF3706STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3706STRLPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 77A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2410pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 88W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3706STRLPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3706STRLPBF-FT |
IRF1010NSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRL
Infineon Technologies
IRF1010NSTRR
Infineon Technologies
IRF1010NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZS
Infineon Technologies
IRF1010ZSPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF1018ESPBF
Infineon Technologies
IRF1104S
Infineon Technologies
IRF1104STRL
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel