casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3706STRLPBF
Número de pieza del fabricante | IRF3706STRLPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF3706STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3706STRLPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 77A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2410pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 88W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3706STRLPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3706STRLPBF-FT |
IRF1010NSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRL
Infineon Technologies
IRF1010NSTRR
Infineon Technologies
IRF1010NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZS
Infineon Technologies
IRF1010ZSPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF1018ESPBF
Infineon Technologies
IRF1104S
Infineon Technologies
IRF1104STRL
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel