casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF1104STRL
Número de pieza del fabricante | IRF1104STRL |
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Número de parte futuro | FT-IRF1104STRL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF1104STRL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.4W (Ta), 170W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1104STRL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF1104STRL-FT |
IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA2
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IPB65R190CFDAATMA1
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IPB65R190CFDATMA1
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IPB65R225C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R225C7ATMA2
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IPB65R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R280E6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel