casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3515STRL
Número de pieza del fabricante | IRF3515STRL |
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Número de parte futuro | FT-IRF3515STRL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3515STRL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 41A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2260pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3515STRL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3515STRL-FT |
IPB80P03P4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P4L07ATMA1
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IPB80P04P405ATMA1
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IPB80P04P407ATMA1
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IPB80P04P4L04ATMA1
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IPB80P04P4L08ATMA1
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IPB90N04S402ATMA1
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IPB90N06S404ATMA1
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IPB90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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