casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB80P04P4L08ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB80P04P4L08ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB80P04P4L08ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB80P04P4L08ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 120µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5430pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80P04P4L08ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB80P04P4L08ATMA1-FT |
IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R380C6ATMA1
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Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel