casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF1503STRRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF1503STRRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF1503STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF1503STRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 140A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5730pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1503STRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF1503STRRPBF-FT |
IPB80N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S303ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S304ATMA1
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IPB80N04S3H4ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S4L04ATMA1
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IPB80N06S205ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S207ATMA4
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation