casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA1
- Número de pieza de MFG
- IPB80N06S207ATMA1
- Cantidad disponible
- 79520 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
- Nuestro precio
- Tenemos un gran descuento, contáctenos
- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IPB80N06S207ATMA1.pdf
IPB80N06S207ATMA1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IPB80N06S207ATMA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IPB80N06S207ATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| IPB80N06S207ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 68A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPB80N06S207ATMA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IPB80N06S207ATMA1-FT |
¿Como ordenar?
Solicitud de presupuesto - Confirmar precio - Pedido - Pago - Envío - ListoMétodos de envío
1) DHL (1-3 days)2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Cálculo de flete: contáctenos
¿Como contactar?
Nuestro correo electrónico: [email protected]Métodos de pago
1) Bank Transfer (Wire Transfer)2) Paypal (Credit Card)
3) Western Union
4) MoneyGram
5) Others
Componentes relacionados en la categoría Transistores - FETs, MOSFETs - Single
IPB407N30NATMA1
Infineon Technologies
IPB45N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPB45N06S3-16
Infineon Technologies
IPB45N06S3L-13
Infineon Technologies
IPB45N06S409ATMA1
Infineon Technologies
IPB45N06S409ATMA2
Infineon Technologies
IPB45N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPB45P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPB47N10S33ATMA1
Infineon Technologies
IPB47N10SL26ATMA1
Infineon Technologies
Componentes de venta caliente
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel