casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IR02SH100J
Número de pieza del fabricante | IR02SH100J |
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Número de parte futuro | FT-IR02SH100J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02SH100J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 130mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 50MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02SH100J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR02SH100J-FT |
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel