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Número de pieza del fabricante | IR02ER1R0J |
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Número de parte futuro | FT-IR02ER1R0J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02ER1R0J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Phenolic |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 385mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 230MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02ER1R0J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR02ER1R0J-FT |
IR02BH270K
Vishay Dale
IR02BH271K
Vishay Dale
IR02BH2R2K
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IR02BH2R7J
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IR02BH3R3F
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IR02BH3R3K
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel