casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPT029N08N5ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPT029N08N5ATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPT029N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPT029N08N5ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT029N08N5ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPT029N08N5ATMA1-FT |
IPD046N08N5ATMA1
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
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5AGXFB1H4F35C4N
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