casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD046N08N5ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPD046N08N5ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPD046N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD046N08N5ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 65µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3800pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD046N08N5ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD046N08N5ATMA1-FT |
IPB35N12S3L26ATMA1
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IPB50N12S3L15ATMA1
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LFXP3C-4T144I
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5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation