casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S2H5AKSA2
Número de pieza del fabricante | IPP80N06S2H5AKSA2 |
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Número de parte futuro | FT-IPP80N06S2H5AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S2H5AKSA2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S2H5AKSA2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP80N06S2H5AKSA2-FT |
IPP50R140CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R190CEXKSA1
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IPP50R199CPHKSA1
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IPP50R299CPHKSA1
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IPP50R350CPHKSA1
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IPP50R350CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R399CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R399CPXKSA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
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