casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP70N10S312AKSA1
Número de pieza del fabricante | IPP70N10S312AKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPP70N10S312AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP70N10S312AKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4355pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP70N10S312AKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP70N10S312AKSA1-FT |
IPF04N03LA G
Infineon Technologies
IPF05N03LA G
Infineon Technologies
IPF06N03LA G
Infineon Technologies
IPF09N03LA
Infineon Technologies
IPF09N03LA G
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IPF10N03LA
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IPF10N03LA G
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SPD03N50C3ATMA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel