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Infineon Technologies IPP110N20NAAKSA1

Name: IPP110N20NAAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP110N20NAAKSA1
Price: 6.824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (734 reviews)

Número de pieza de MFG: IPP110N20NAAKSA1

Cantidad disponible: 78130 Piezas

Precio de referencia: USD 6.824

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptimWatt™ MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPP110N20NAAKSA1.pdf

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IPP110N20NAAKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPP110N20NAAKSA1
Número de parte futuro	FT-IPP110N20NAAKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptimWatt™
IPP110N20NAAKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	88A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.7 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7100pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP110N20NAAKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPP110N20NAAKSA1-FT

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