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Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1

Número de pieza de MFG
IPN60R3K4CEATMA1
Cantidad disponible
81110 Piezas
Precio de referencia
USD 0.145384
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPN60R3K4CEATMA1
Número de parte futuro FT-IPN60R3K4CEATMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPN60R3K4CEATMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 93pF @ 100V
Característica FET Super Junction
Disipación de potencia (max) 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223
Paquete / Caja SOT-223-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN60R3K4CEATMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPN60R3K4CEATMA1-FT

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