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Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA1

Name: IPI80N06S2L11AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI80N06S2L11AKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (137 reviews)

Número de pieza de MFG: IPI80N06S2L11AKSA1

Cantidad disponible: 95970 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPI80N06S2L11AKSA1.pdf

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IPI80N06S2L11AKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPI80N06S2L11AKSA1
Número de parte futuro	FT-IPI80N06S2L11AKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPI80N06S2L11AKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 93µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2075pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO262-3
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI80N06S2L11AKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPI80N06S2L11AKSA1-FT

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