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Infineon Technologies IPI04CN10N G

Número de pieza de MFG
IPI04CN10N G
Cantidad disponible
76490 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPI04CN10N G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13800pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO262-3
Paquete / Caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI04CN10N G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPI04CN10N G-FT

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